的雪崩损坏有三种方式：热损坏、寄生三极管导通损坏和VGS尖峰误触发导通损坏。
功率MOSFET在功率脉冲的效果下进入雪崩的作业状况，VDS电压添加，体到epi-结的电场也添加，当场强添加到临界值时（硅中大约为300kV/cm），产生载流子的雪崩倍增，导致电流忽然飞速添加。雪崩倍增并不是一个损坏的进程，在这样的一个进程中，因为功耗添加导致硅片的结温升高，当结温升高到硅片特性答应的临界值，失效将产生。
热击穿：耗散功率转化为热，使集电结结温升高，集电结结电流进一步增大，使三极管焚毁。
二次击穿：部分大电流导致三极管烧通，使VCE击穿电压急剧下降，IC电流增大，使三极管焚毁。
功率MOSFET在雪崩进程中硅片的温度上升，VGS的阈值急剧下降，一起在雪崩进程中，VDS的电压耦合到G极，在G、S上产生的电压VGS高于的阈值，MOSFET误触发而注册，导致瞬态的大电流流过硅片部分区域，产生电流熔丝效应，然后损坏功率MOSFET，在这样的一个进程中，一般也会叠加寄生三极管导通的损坏机理。在实践运用中，UIS雪崩较少以这样的方式产生失效。
I****AS会流经MOSFET的基极寄生电阻RB。此刻，寄生双极型晶体管的基极和发射极之间会产生电位差V****BE，假如该电位差较大，则寄生双极晶体管可能会变为导通状况。一旦这个寄生双极晶体管导通，就会流过大电流，MOSFET可能会因短路而失效。
在雪崩击穿期间，不只会产生由雪崩电流导致寄生双极晶体管误导通而形成的短路和损坏，还会产生由传导损耗带来的热量形成的损坏。如前所述，当MOSFET处于击穿状况时会流过雪崩电流。
在这种状况下，BV****DSS被施加到MOSFET而且流过雪崩电流，它们的乘积成为功率损耗。这种功率损耗称为“雪崩能量E****AS”。雪崩测验电路及其测验成果的波形如下图所示。此外，雪崩能量可以终究靠公式(1)来表明。
当向MOSFET施加高于肯定最大额定值BVDSS的电压时，会形成击穿并引发
的办法 /
EAR，一起标示了丈量条件，一般有开始温度25C，最高结温150C或许175C，以及电感值、脉冲宽度和脉冲频率，这些丈量的条件
当向MOSFET施加高于肯定最大额定值BVDSS的电压时，就会产生击穿。当施加高于BVDSS的高电场时，自由电子被加快并带有很大的
，关于进步电路设计的可靠性具有极端重大意义。本文将从晶闸管的根底原理动身，具体讨论其
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