【48812】研讨提醒真空击穿进程中电场与电极资料相互效果

  西安交通大学电气工程学院孟国栋副教授、成永红教授研讨团队与爱沙尼亚塔尔图大学/芬兰赫尔辛基大学Andreas Kyritsakis副教授研讨团队展开协作，针对“强电场与电极资料相互效果”这一问题，提出了使用高分辩透射电子显微镜展开原位电学与微观描摹表征，系统研讨了极点强电场（~GV/m）效果下金属外表碳层的描摹演化动力学进程。在国际上初次实时观察到非晶碳层外表的纳米突起的产生与成长进程，结合场致电子发射电流的改动特征发现了纳米突起成长的不同发展阶段，提醒了资料描摹演化特征与场致电子发射特性的内在联络。近来该研讨成果宣布在《物理谈论快报》上。

  研讨提出了场致外表原子分散机制，即局域高电场会明显改动外表原子间的搬迁势垒，驱动外表原子向更高场强方向分散，终究构成击穿前驱体并诱导击穿产生。研讨成果有助于深化知道真空击穿进程中电场与电极资料相互效果，从资料微观标准了解真空击穿的开始机制，为处理高能物理设备与微纳器材中的真空击穿问题奠定理论基础。

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